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domingo, 24 de agosto de 2008

transistor






Dispositivo compuesto de un material semiconductor que amplifica una señal o abre o cierra un circuito. Inventado en 1947 en Bell Labs, los transistores se han vuelto el principal componente de todos los circuitos digitales, incluidas las computadoras.

Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

En la actualidad los microprocesadores contienen millones de transistores microscópicos.Previo a la invención de los transistores, los circuitos digitales estaban compuestos de tubos vacíos, lo cual tenía muchas desventajas. Eran más grandes, requerían más memoria y energía, generaban más calor y eran más propensos a fallas.

Los transistores cumplen las fuciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.


transistor bipolar:

El transistor bipolar fue inventado en los laboratorios Bell de EEUU en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley (recibieron el Premio Nobel de Física en 1956).

El transistor bipolar está constituido por un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento sólo puede explicarse mediante mecánica cuántica.

Símbolos de los Transistores :

Al diseñar circuitos electrónicos es conveniente representar el transistor con los símbolos universalmente adoptados. El transistor está formado por un encapsulado, y tres patitas; una patita es la base, otra el colector y otra es el emisor.

Existen dos tipos de transistores bipolares: npn y pnp.


pnp


npn


El transistor es el resultado de unir tres semiconductores de tipo N y P.




Localización de las patitas:

Con el multímetro marcando la escala del diodo, se pone el cable rojo del multímetro en una de las tres patitas y el negro en otra de las patitas, se comprueba lo que marca el multímetro. Después con el cable negro se pone en la otra patita que falta y si en el multímetro da lo mismo que la comprobación anterior, ese transistor funciona.

Para saber si es un PNP o un NPN:

Se pone el cable rojo donde creas que sea la base y el negro en la otra patita y después en la otra patita: si da un valor alto en las dos mediciones, el transistor es un PNP y si da un valor bajo es un NPN.

transistor de efecto campo:



pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares.

Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unión p-n.

En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada puerta (g-gate) en el collar.















- MESFET, transistores de efecto de campo metal semiconductor.



- MOSFET, transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En estos componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una dopada para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como una puerta, un electrodo de metal.
Transistores HBT y HEMT.



Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de Hetereoestructura) y Hight Electron Mobility Transistor ( De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3 terminales formados por la combinación de diferentes componentes, con distinto salto de banda prohibida.

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